ESD静电抑制器主要参数说明及特点

2023-04-12 14:35:10 admin

一、ESD主要参数说明:


保险丝

    ESD静电抑制器的伏安特性曲线与TVS类似,与TVS不同的是,ESD静电抑制器功率较小,工作电压也较低,ESD静电抑制器的工作电压根据被保护芯片的工作电压来设计。

    VRWM:反向截止电压,即ESD静电抑制器允许施加的最大工作电压,在该电压下ESD处于截止状态,ESD静电抑制器的漏电流很小,可以达到10纳安左右。

    IR:反向漏电流,即在ESD静电抑制器两端施加VRWM电压下测得ESD静电抑制器的漏电流。

    VBR:击穿电压,击穿电压是ESD静电抑制器要开始动作(雪崩击穿)的电压,一般在规定的电流下测量,通常在大小为1mA的电流下测量。

    IPP:峰值脉冲电流,ESD静电抑制器一般采用8/20μs的波形测量。

    VC:钳位电压,在给定大小的IPP下测得ESD静电抑制器两端的电压。

    Cj:PN结的结电容,会影响数据传输,高频信号选取ESD静电抑制器时,一定要考虑Cj对信号的影响。


二、ESD静电抑制器主要特点:

    1、ESD静电抑制器是一种 钳位型 过压保护器件,用于静电防护及一些较低浪涌的防护;

    2、 ESD静电抑制器电压根据被保护IC 的工作电压设计,如2.5V、2.8V、3.3V、5V、8V、12V、15V、24V、36V等;

    3、 电容低,目前最小可做到0.17pF,满足10GMbps高速应用,不影响数据通信质量;

    4、封装小型化,封装形式多样化。




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